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3AXD50000711888 2MBI1400VXB-120P-50 ABB Módulo IGBT

Name: 3AXD50000711888 2MBI1400VXB-120P-50 ABB Módulo IGBT
Brand: MOORE AUTOMATION LIMITED
SKU: 3AXD50000711888 2MBI1400VXB-120P-50
Availability: InStock

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Suécia
Marca:	ABB
Certificação:	CO.CQ
Número do modelo:	3AXD50000711888 2MBI1400VXB-120P-50

Informações detalhadas

Lugar de origem:

Suécia

Marca:

ABB

Certificação:

CO.CQ

Número do modelo:

3AXD50000711888 2MBI1400VXB-120P-50

Descrição:

Módulo de IGBT

Número da parte:

3AXD50000711888 2MBI1400VXB-120P-50

Marca:

ABB

Aplicação:

Estação nuclear

Ano de fabrico:

2022

Tempo de execução:

Em existência

Peso:

4 libras.

Destacar:

High Light

Destacar:

3AXD50000711888 ABB Módulo IGBT

2MBI1400VXB-120P-50 ABB Módulo IGBT

2MBI1400VXB-120P-50 Módulo IGBT

Informações de negociação

Quantidade de ordem mínima:

Preço:

inquiry

Detalhes da embalagem:

Novos e originais, selados de fábrica

Tempo de entrega:

hoje

Termos de pagamento:

T/T

Habilidade da fonte:

10 peças por dia

Descrição do produto

3AXD50000711888 2MBI1400VXB-120P-50 ABB Módulo IGBT

O que é aplicativo/móvel:86-18020776792 Espião:Miyazheng520

Email:miya@mvme.cn (clique) Contacte o nosso mAnager: Miya

Detalhes do produto

OABB 3AXD50000711888 2MBI1400VXB-120P-50é um sistema de alta performanceModulo de alimentação IGBT (transistor bipolar de porta isolada)

Este módulo, fabricado pela ABB em colaboração com a Fuji Electric, faz parte do2 MB

Série, conhecido por seu desempenho térmico robusto, manuseio de alta tensão e características de comutação eficientes.

Características

Capacidade de corrente alta: manuseia até 1400A, ideal para aplicações de alta potência.
Tolerância de alta tensão: suporta uma tensão 1200V colector-emissor, adequada para sistemas de energia de nível industrial.
Configuração IGBT dupla: Otimizada para comutação eficiente e redução das perdas de condução.
Voltagem de saturação baixa (V)_{CE (sat)}): Melhora a eficiência energética geral minimizando a queda de tensão no IGBT.
Capacidade de comutação rápida: suporta operações de alta velocidade, reduzindo as perdas de comutação em aplicações exigentes.
Diodos de rotação livre incorporados: Melhora o desempenho de recuperação reversa e simplifica o design do circuito.
Excelente gestão térmica: concebido com uma base robusta para dissipação de calor superior e baixa resistência térmica.

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