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2MBI600VXA-120E-51 Módulo de alimentação IGBT original

2MBI600VXA-120E-51 Módulo de alimentação IGBT original

Detalhes do produto:
Lugar de origem: JAPÃO
Marca: Fuji
Certificação: CO.CQ
Número do modelo: Módulo de poder original de IGBT
Informações detalhadas
Lugar de origem:
JAPÃO
Marca:
Fuji
Certificação:
CO.CQ
Número do modelo:
Módulo de poder original de IGBT
Descrição:
Controlador de unidade
Número da peça:
2MBI600VXA-120E-51
Marca:
fuji
Ano de fabricação:
2022
Aplicativo:
Usina Nuclear
Tempo de espera:
Em estoque
Peso:
4 libras
Destacar:

High Light

Destacar:

Módulo de potência igbt original 600v

,

módulo igbt 2mbi600vxa-120e-51

,

módulo de potência dcs de automação

Informações de negociação
Quantidade de ordem mínima:
1
Preço:
inquiry
Detalhes da embalagem:
novo e original com lacrado de fábrica
Tempo de entrega:
hoje
Termos de pagamento:
T/T
Habilidade da fonte:
10 peças por dia
Descrição do produto
  • 2MBI600VXA-120E-51 Módulo de alimentação IGBT original






Descrição
O2MBI600VXA-120E-51é ummódulo IGBT industrial de alta potênciaconcebido para a comutação eficiente de cargas eléctricas muito grandes em sistemas de inversores e motores.e operação de alta corrente em ambientes exigentes.
Perguntas frequentes
1. Que configuração topológica é implementada dentro do2MBI600VXA-120E-51Arquitetura do módulo IGBT?

O2MBI600VXA-120E-51integrar uma topologia de meia-ponte IGBT dupla, incorporando dois interruptores IGBT de alta corrente com diodos antiparalelos de freewheel ultra-rápidos,que permitam a manipulação de corrente bidireccional em sistemas de comutação de classe inversor.


❓ 2.2MBI600VXA-120E-51Assegurar a capacidade de bloqueio de alta tensão em condições de tensão de sobrevoltagem transitória?

O2MBI600VXA-120E-51é projetado com uma estrutura IGBT de trincheira de classe 1200 V, otimizada para uma elevada robustez em avalanches e distribuição controlada do campo elétrico,garantir uma desligação fiável em condições de alta tensão de onda e de alta tensão de onda.


❓ 3. Que mecanismos de otimização das perdas de comutação estão incorporados no sistema de2MBI600VXA-120E-51design?

O2MBI600VXA-120E-51utiliza a tecnologia IGBT de porta de trincheira de baixa corrente de cauda combinada com um controlo da vida útil do portador otimizado,reduzir significativamente a energia de desligamento (Eoff) mantendo uma compensação entre a perda de condução (Vce(sat)) e a velocidade de comutação.


❓ 4. De que forma o2MBI600VXA-120E-51Gerenciar a impedância térmica e a estabilidade da temperatura da junção?

O2MBI600VXA-120E-51apresenta uma estrutura de base isolada de placa de baixa resistência térmica, tipicamente baseada em cobre ou AlSiC, que permite uma transferência eficiente do fluxo de calor da junção para a caixa,assegurar uma temperatura de junção estável (Tj) em funcionamento contínuo de alta corrente.


❓ 5.2MBI600VXA-120E-51Obter capacidade de resistência a curto-circuito em condições de falha?

O 2MBI600VXA-120E-51é concebido com características SOA (Safe Operating Area) de curto-circuito controlado, permitindo um tempo de resistência ao curto-circuito (SCWT) na faixa de microsecundos,suportado por uma dinâmica de carga da porta otimizada e robustez à dessaturação.









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