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ONGDR-07C/NGDR-07/FF650R17IE4O Kit de Módulo IGBT da ABB é uma solução de semicondutores de potência industrial de alta tensão e alta corrente baseada na plataforma de tecnologia Infineon TRENCHSTOP™ IGBT4 (E4), projetada para operação robusta e eficiente em sistemas de conversão de energia média a alta. O módulo integra uma configuração IGBT de meia ponte dupla PrimePACK™ 2 de 1700 V/650 A, otimizada para alta confiabilidade, baixas perdas de comutação e capacidade superior de ciclagem térmica.
| A ABBNGDR-07C NGDR-07 FF650R17IE4características: |
| Classificações de desempenho elétrico | |
| Tensão Coletor-Emissor (V_CES): | 1700V |
| Corrente nominal do coletor (I_Cnom): | 650A |
| Corrente máxima do coletor (I_Cmax): |
650A |
| Temperatura operacional da junção (T_vj op): | até 150ºC |
ONGDR-07C/NGDR-07/FF650R17IE4O kit de módulo IGBT da ABB é baseado em uma arquitetura IGBT dupla de meia ponte PrimePACK™ 2, integrando chips IGBT4 (TRENCHSTOP™ E4) com um diodo de recuperação rápida empacotado e termistor NTC, permitindo conversão de energia de alta densidade em sistemas inversores compactos.
ONGDR-07C/NGDR-07/FF650R17IE4O módulo ABB exibe uma classificação de tensão coletor-emissor de 1700 V (V_CES), obtida por meio de engenharia de células IGBT de trincheira de parada de campo e perfis de dopagem de região de deriva otimizados, garantindo imunidade robusta a avalanches e alta tolerância a sobretensões transitórias.
ONGDR-07C/NGDR-07/FF650R17IE4O módulo ABB suporta uma corrente nominal de coletor de 650 A (I_Cnom) por meio de empilhamento de chips de alta densidade de corrente, metalização otimizada do emissor e geometria de espalhamento de corrente de baixa resistência, permitindo condução eficiente em sistemas de acionamento de alta potência.
ONGDR-07C/NGDR-07/FF650R17IE4O módulo ABB minimiza as perdas de comutação por meio da supressão ultrarrápida da corrente de cauda IGBT4 e da otimização da suavidade do diodo, resultando na redução da energia E_on, E_off e recuperação reversa (E_rec) durante a operação PWM em ambientes de inversores de alta frequência.
ONGDR-07C/NGDR-07/FF650R17IE4O módulo ABB suporta uma capacidade estendida de temperatura de junção de até T_vj(op) = 150°C, possibilitada pela propagação de calor da placa de base de cobre, interfaces de baixa impedância térmica e camadas de solda termomecanicamente otimizadas.
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